Fullerene derivative thin line and method for producing same
WO2005035480
Art A1
21. April 2005
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005035480
- Aktenzeichen
- EP04792329
- Anmeldetag
- 6. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 21. April 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C07C69/608C07C67/52
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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