Ferroelectric capacitor with a complex-oxide hard-mask top electrode and method for manufacturing the same

WO2005036612 Art A2 21. April 2005

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Infineon Technologies AG 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005036612
Aktenzeichen: EP04773464
Anmeldetag: 22. September 2004
Veröffentlichung: 21. April 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Infineon Technologies AG
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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