High-Voltage Mos Field-Effecttransistor

WO2005036649 Art A1 21. April 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005036649
Aktenzeichen: EP04790089
Anmeldetag: 1. Oktober 2004
Veröffentlichung: 21. April 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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