Memory device and method using positive gate stress to recover overerased cell

WO2005038815 Art A1 28. April 2005

Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005038815
Aktenzeichen: EP04784541
Anmeldetag: 16. September 2004
Veröffentlichung: 28. April 2005
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/34G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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