Thin metal oxide film and method of making the same especially for fuel cells

WO2005040447 Art A2 6. Mai 2005

Anmelder: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P., Hewlett-Packard Development Company, L.P. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005040447
Aktenzeichen: EP04816818
Anmeldetag: 20. August 2004
Veröffentlichung: 6. Mai 2005
Rechtsraum: WO
IPC: C23C10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
Hewlett-Packard Development Company, L.P.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Hewlett-Packard

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien. Aktiv in Computerhardware, Druckern, Speicherlösungen sowie Unternehmens-IT und Cloud-Infrastruktur.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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