Maskless lateral epitaxial overgrowth of aluminum nitride and high aluminum composition aluminum gallium nitride

WO2005041269 Art A2 6. Mai 2005

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005041269
Aktenzeichen: EP04796614
Anmeldetag: 25. Oktober 2004
Veröffentlichung: 6. Mai 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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