Method for forming wiring, method for manufacturing thin film transistor and droplet discharging method

WO2005041286 Art A1 6. Mai 2005

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005041286
Aktenzeichen: EP04793282
Anmeldetag: 25. Oktober 2004
Veröffentlichung: 6. Mai 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205H01L21/288H01L29/786H01L21/336B41J2/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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