Magnetoresistive Speicherzelle und Verfahren zu deren Herstellung

WO2005043546 Art A1 12. Mai 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005043546
Aktenzeichen: EP04802650
Anmeldetag: 27. Oktober 2004
Veröffentlichung: 12. Mai 2005
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/16H01F10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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