Method of forming a low k dielectric in a semiconductor manufacturing process

WO2005045914 Art A1 19. Mai 2005

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005045914
Aktenzeichen: EP04779838
Anmeldetag: 30. Juli 2004
Veröffentlichung: 19. Mai 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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