Method for forming a filled trench in a semiconductor layer
WO2005045922
Art A1
19. Mai 2005
Anmelder: ANALOG DEVICES, INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005045922
- Aktenzeichen
- EP04794859
- Anmeldetag
- 12. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 19. Mai 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/762H01L21/763
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ANALOG DEVICES, INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇮🇪
Analog Devices
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit irischer Konzerngesellschaft. Analog Devices entwickelt analoge, gemischte und digitale Signalverarbeitungschips für Industrie-, Kommunikations- und Automobilanwendungen.
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