An advanced technique for forming transistors having raised drain and source regions with different height
WO2005045924
Art A1
19. Mai 2005
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005045924
- Aktenzeichen
- EP04784757
- Anmeldetag
- 17. September 2004
- Veröffentlichung
- 19. Mai 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8234H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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