Verfahren zur Herstellung einer Antireflektierenden Oberfl C He auf Optischen Integrierten Schaltkreisen

WO2005045941 Art A2 19. Mai 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005045941
Aktenzeichen: EP04802629
Anmeldetag: 20. Oktober 2004
Veröffentlichung: 19. Mai 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0232H01L31/0216H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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