A method for making a semiconductor device having a metal gate electrode

WO2005048334 Art A1 26. Mai 2005

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005048334
Aktenzeichen: EP04796650
Anmeldetag: 27. Oktober 2004
Veröffentlichung: 26. Mai 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/49H01L21/3213H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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