Method for preparing ruthenium oxide-thin film using electrodeposition

WO2005050721 Art A1 2. Juni 2005

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005050721
Aktenzeichen: EP03781051
Anmeldetag: 30. Dezember 2003
Veröffentlichung: 2. Juni 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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