A Method To Modulate Etch Rate in Slam

WO2005050732 Art A1 2. Juni 2005

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005050732
Aktenzeichen: EP04810787
Anmeldetag: 10. November 2004
Veröffentlichung: 2. Juni 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von