Porous insulating film, method for producing same, and semiconductor device using porous insulating film

WO2005053009 Art A1 9. Juni 2005

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005053009
Aktenzeichen: EP04819471
Anmeldetag: 29. November 2004
Veröffentlichung: 9. Juni 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/312H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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