Method for fabricating gan-based nitride layer

WO2005053042 Art A1 9. Juni 2005

Anmelder: Epivalley Co., Ltd., Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005053042
Aktenzeichen: EP04774375
Anmeldetag: 21. August 2004
Veröffentlichung: 9. Juni 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Epivalley Co., Ltd.
Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.

Südkoreanischer Hersteller elektronischer Bauteile wie Kondensatoren, Kamerakomponenten und Leiterplatten, Teil der Samsung-Gruppe. Patente betreffen Elektronikkomponenten.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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