Manufacturable Low-Temperature Silicon Carbide Deposition Technology

WO2005057630 Art A2 23. Juni 2005

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005057630
Aktenzeichen: EP04817741
Anmeldetag: 29. Juli 2004
Veröffentlichung: 23. Juni 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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