Bias-adjusted magnetoresistive devices for magnetic random access memory (mram) applications
WO2005069306
Art A1
28. Juli 2005
Anmelder: Honeywell International Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005069306
- Aktenzeichen
- EP05722398
- Anmeldetag
- 10. Januar 2005
- Veröffentlichung
- 28. Juli 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Honeywell International Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Honeywell
US-amerikanischer Mischkonzern mit Schwerpunkten in Luft- und Raumfahrttechnik, Automatisierungslösungen, Gebäudetechnik sowie Spezialchemikalien und -materialien für Industrie- und Verteidigungskunden.
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