Integrierter Transistor, insbesondere F R Spannungen Gr&ouml ;sser 40 Volt, und Herstellungsverfahren

WO2005069380 Art A1 28. Juli 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005069380
Aktenzeichen: EP04821083
Anmeldetag: 26. November 2004
Veröffentlichung: 28. Juli 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/732H01L21/331H01L29/06H01L21/225H01L29/78H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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