A stress-tuned, single-layer silicon nitride film and method of deposition therefore

WO2005074017 Art A1 11. August 2005

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005074017
Aktenzeichen: EP05722557
Anmeldetag: 25. Januar 2005
Veröffentlichung: 11. August 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318C23C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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