Technique for perfecting the active regions of wide bandgap semiconductor nitride devices
WO2005074451
Art A2
18. August 2005
Anmelder: THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA as represented by THE SECRETARY OF THE NAVY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005074451
- Aktenzeichen
- EP04812333
- Anmeldetag
- 22. November 2004
- Veröffentlichung
- 18. August 2005
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA as represented by THE SECRETARY OF THE NAVY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
The Government of the United States of America As Represented By the Secretary of the Navy
Dieser Anmelder steht für Patente der US-Marine, angemeldet über die Regierung der Vereinigten Staaten. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Optik- und Fototechnik für militärische und maritime Forschung ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.
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