Technique for perfecting the active regions of wide bandgap semiconductor nitride devices

WO2005074451 Art A2 18. August 2005

Anmelder: THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA as represented by THE SECRETARY OF THE NAVY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2005074451
Aktenzeichen
EP04812333
Anmeldetag
22. November 2004
Veröffentlichung
18. August 2005
Rechtsraum
WO
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA as represented by THE SECRETARY OF THE NAVY
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 The Government of the United States of America As Represented By the Secretary of the Navy

Dieser Anmelder steht für Patente der US-Marine, angemeldet über die Regierung der Vereinigten Staaten. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Optik- und Fototechnik für militärische und maritime Forschung ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

496 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen