An error detection and correction scheme for a memory device

WO2005076133 Art A1 18. August 2005

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005076133
Aktenzeichen: EP05706100
Anmeldetag: 26. Januar 2005
Veröffentlichung: 18. August 2005
Rechtsraum: WO
IPC: G06F11/10H03M13/29

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Software & Datenverarbeitung

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