Verwendung von Gelösten Hafniumalkoxiden Bzw. Zirkoniumalkoxiden als Ausgangsmaterialien für Hafniumoxid- und Hafniumoxynitridschichten Bzw. Zirkoniumoxid- und Zirkoniumoxynitridschichten

WO2005076338 Art A1 18. August 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG, ASM INTERNATIONAL N.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005076338
Aktenzeichen: EP05701312
Anmeldetag: 2. Februar 2005
Veröffentlichung: 18. August 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316C23C18/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
ASM INTERNATIONAL N.V.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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