Process for producing p-type zinc oxide thin film and thin film, and semiconductor device
WO2005076341
Art A1
18. August 2005
Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005076341
- Aktenzeichen
- EP04787886
- Anmeldetag
- 10. September 2004
- Veröffentlichung
- 18. August 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/363
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOHOKU UNIVERSITY
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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