In-Situ Liner Formation During Reactive Ion Etch
WO2005076346
Art A1
18. August 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation, United Microelectronics Co. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005076346
- Aktenzeichen
- EP05701624
- Anmeldetag
- 31. Januar 2005
- Veröffentlichung
- 18. August 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
International Business Machines Corporation
United Microelectronics Co. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Fachgebiete
Vertreten von
Karl, Frank
Baldham, Deutschland
119
Patente gesamt
20
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte