Soi-Halbleiterbauelement mit Erh Hter Spannungsfestigkeit
WO2005076366
Art A2
18. August 2005
Anmelder: eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG, Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005076366
- Aktenzeichen
- EP05701233
- Anmeldetag
- 28. Januar 2005
- Veröffentlichung
- 18. August 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
Infineon Technologies AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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