Method for forming a semiconductor device with local semiconductor-on- insulator (soi)

WO2005076795 Art A2 25. August 2005

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005076795
Aktenzeichen: EP05711577
Anmeldetag: 12. Januar 2005
Veröffentlichung: 25. August 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/36H01L21/469H01L21/473H01L21/4757

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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