Ion implantation method and ion implantation apparatus

WO2005078758 Art A1 25. August 2005

Anmelder: WASEDA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005078758
Aktenzeichen: EP05710689
Anmeldetag: 18. Februar 2005
Veröffentlichung: 25. August 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/317H01L21/265H01L21/266

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: WASEDA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Waseda University

Waseda University ist eine private japanische Universität mit Sitz in Tokio und breitem ingenieurwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio verteilt sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, Medizintechnik und Gesundheit sowie Mess- und Werkstofftechnik. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit dem Jahr 2000.

397 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von