Thin film transistor and manufacturing method thereof, display apparatus, method for modifying oxide film, method for forming oxide film, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and equipment for manufacturing semiconductor device

WO2005078787 Art A1 25. August 2005

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, Imai, Shigeki 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005078787
Aktenzeichen: EP05710252
Anmeldetag: 16. Februar 2005
Veröffentlichung: 25. August 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/316H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
Imai, Shigeki
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

19.779 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von