Group i-vii semiconductor single crystal thin film and process for producing same
WO2005078788
Art A1
25. August 2005
Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005078788
- Aktenzeichen
- EP04821325
- Anmeldetag
- 30. November 2004
- Veröffentlichung
- 25. August 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/363
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Japan Science and Technology Agency
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Japan Science and Technology Agency
Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.
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