Hochsperrendes Halbleiterbauelement mit Driftstrecke

WO2005078802 Art A2 25. August 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005078802
Aktenzeichen: EP05714963
Anmeldetag: 11. Februar 2005
Veröffentlichung: 25. August 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/78H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von