Method for controlling conductivity of ga sb 2 /sb o sb 3 /sb single crystal

WO2005078812 Art A1 25. August 2005

Anmelder: WASEDA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005078812
Aktenzeichen: EP05703659
Anmeldetag: 14. Januar 2005
Veröffentlichung: 25. August 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00C23C14/28C30B29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: WASEDA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Waseda University

Waseda University ist eine private japanische Universität mit Sitz in Tokio und breitem ingenieurwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio verteilt sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, Medizintechnik und Gesundheit sowie Mess- und Werkstofftechnik. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit dem Jahr 2000.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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