Field Effect Transistor

WO2005081304 Art A1 1. September 2005

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005081304
Aktenzeichen: EP05719331
Anmeldetag: 21. Februar 2005
Veröffentlichung: 1. September 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L29/423H01L29/47H01L29/778H01L29/812H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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