Gallium nitride-based compound semiconductor multilayer structure and production method thereof

WO2005081329 Art A1 1. September 2005

Anmelder: SHOWA DENKO K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005081329
Aktenzeichen: EP05719743
Anmeldetag: 23. Februar 2005
Veröffentlichung: 1. September 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00

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Abstract

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Anmelder

Firma: SHOWA DENKO K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Showa Denko

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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