A method for fabrication of a capacitor, and a monolithically integrated circuit comprising such a capacitor

WO2005083768 Art A1 9. September 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005083768
Aktenzeichen: EP05711111
Anmeldetag: 23. Februar 2005
Veröffentlichung: 9. September 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/329H01L27/082

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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