A semiconductor device having a silicided gate electrode and method of manufacture therefor
WO2005084342
Art A2
15. September 2005
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005084342
- Aktenzeichen
- EP05724348
- Anmeldetag
- 1. März 2005
- Veröffentlichung
- 15. September 2005
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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