Limited-reaction epitaxial regrowth of semiconductor interfaces
WO2005084391
Art A2
15. September 2005
Anmelder: Yale University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005084391
- Aktenzeichen
- EP05724746
- Anmeldetag
- 3. März 2005
- Veröffentlichung
- 15. September 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yale University
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Yale University
US-amerikanische private Forschungsuniversität in New Haven, Connecticut, gegründet 1701.
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