Field effect transistor and method of producing the same

WO2005086253 Art A1 15. September 2005

Anmelder: CANON KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005086253
Aktenzeichen: EP05720678
Anmeldetag: 8. März 2005
Veröffentlichung: 15. September 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CANON KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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