Method for manufacturing gallium nitride semiconductor substrate

WO2005088687 Art A1 22. September 2005

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005088687
Aktenzeichen: EP05719910
Anmeldetag: 3. März 2005
Veröffentlichung: 22. September 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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