Semiconductor package with perforated substrate
WO2005088706
Art A1
22. September 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005088706
- Aktenzeichen
- EP04710085
- Anmeldetag
- 11. Februar 2004
- Veröffentlichung
- 22. September 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/00H01L23/498
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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