Memory Gate Stack Structure

WO2005088727 Art A1 22. September 2005

Anmelder: The National University of Singapore 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005088727
Aktenzeichen: EP04719700
Anmeldetag: 11. März 2004
Veröffentlichung: 22. September 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/792H01L29/51H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The National University of Singapore
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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