Ga sb 2 /sb O sb 3 /sb SEMICONDUCTOR DEVICE
WO2005088735
Art A1
22. September 2005
Anmelder: WASEDA UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005088735
- Aktenzeichen
- EP05703660
- Anmeldetag
- 14. Januar 2005
- Veröffentlichung
- 22. September 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- WASEDA UNIVERSITY
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Waseda University
Waseda University ist eine private japanische Universität mit Sitz in Tokio und breitem ingenieurwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio verteilt sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, Medizintechnik und Gesundheit sowie Mess- und Werkstofftechnik. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit dem Jahr 2000.
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