Silizium-Germanium-Obrflächenschicht für die Integration von Dielektrika mit Hohem K

WO2005096358 Art A1 13. Oktober 2005

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005096358
Aktenzeichen: EP05705359
Anmeldetag: 10. Januar 2005
Veröffentlichung: 13. Oktober 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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