A method for manufacturing a semiconductor device having a silicided gate electrode and a method for manufacturing an integrated circuit including the same

WO2005096366 Art A1 13. Oktober 2005

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005096366
Aktenzeichen: EP05756495
Anmeldetag: 28. März 2005
Veröffentlichung: 13. Oktober 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/44

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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