Charge-trapping memory cell array and method for production

WO2005096382 Art A1 13. Oktober 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005096382
Aktenzeichen: EP05716335
Anmeldetag: 23. März 2005
Veröffentlichung: 13. Oktober 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8246

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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