A method of plasma etch endpoint detection using a v-i probe diagnostics

WO2005098091 Art A2 20. Oktober 2005

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005098091
Aktenzeichen: EP05743207
Anmeldetag: 30. März 2005
Veröffentlichung: 20. Oktober 2005
Rechtsraum: WO
IPC: C23F1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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