High Throughput Measurement Of Via Defects in Interconnects

WO2005098402 Art A2 20. Oktober 2005

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2005098402
Aktenzeichen
EP05730292
Anmeldetag
23. März 2005
Veröffentlichung
20. Oktober 2005
Rechtsraum
WO
IPC
G01N25/18G01N25/72H01L23/544
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Applied Materials, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.783 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen