Deposition of low dielectric constant films by n<sb>2</sb>o/cyclic organosiloxane plasma

WO2005098924 Art A1 20. Oktober 2005

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005098924
Aktenzeichen: EP05729745
Anmeldetag: 21. März 2005
Veröffentlichung: 20. Oktober 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/312

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.783 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von