Method of improving the wafer to wafer uniformity and defectivity of a deposited dielectric film

WO2005103327 Art A1 3. November 2005

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005103327
Aktenzeichen: EP05713656
Anmeldetag: 11. Februar 2005
Veröffentlichung: 3. November 2005
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/44H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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